ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Modil IGCT pou tablo envèstisè
Deskripsyon
Fabrikasyon | ABB |
Modèl | 5SHY4045L0001 |
Enfòmasyon sou kòmand | 3BHB018162 |
Katalòg | Pyès Rezèv VFD |
Deskripsyon | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Modil IGCT pou tablo envèstisè |
Orijin | Etazini (US) |
Kòd HS | 85389091 |
Dimansyon | 16cm * 16cm * 12cm |
Pwa | 0.8kg |
Detay
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 se yon pwodwi tiristor entegre ak komitasyon pòtay (IGCT) ABB, ki fè pati seri 5SHY la.
IGCT se yon nouvo kalite aparèy elektwonik ki te parèt nan fen ane 1990 yo.
Li konbine avantaj IGBT (tranzistò bipolè pòtay izole) ak GTO (tiristor fèmen pòtay), epi li gen karakteristik vitès komitasyon rapid, gwo kapasite, ak gwo pouvwa kondwi nesesè.
Espesyalman, kapasite 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 la ekivalan ak kapasite GTO a, men vitès komitasyon li 10 fwa pi rapid pase kapasite GTO a, sa vle di li ka konplete aksyon komitasyon an nan yon tan ki pi kout e konsa amelyore efikasite konvèsyon pouvwa a.
Anplis de sa, konpare ak GTO, IGCT ka sove sikwi snubber ki gwo e konplike a, sa ki ede senplifye konsepsyon sistèm lan epi redwi depans yo.
Sepandan, li ta dwe remake ke byenke IGCT gen anpil avantaj, puisans kondwi ki nesesè a toujou gwo.
Sa ka ogmante konsomasyon enèji ak konpleksite sistèm nan. Anplis de sa, byenke IGCT ap eseye ranplase GTO nan aplikasyon ki gen gwo puisans, li toujou ap fè fas ak yon gwo konpetisyon ak lòt nouvo aparèy (tankou IGBT).
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Tranzistò komitasyon pòtay entegre | GCT (Integrated Gate commutated transistors) se yon nouvo aparèy semi-kondiktè pouvwa ki te itilize nan ekipman elektwonik pouvwa jeyan ki te soti an 1996.
IGCT se yon nouvo aparèy switch semi-kondiktè gwo puisans ki baze sou estrikti GTO, lè l sèvi avèk yon estrikti pòtay entegre pou kondwi difisil pòtay, lè l sèvi avèk yon estrikti kouch mitan tanpon ak teknoloji emeteur transparan anod, ak karakteristik eta aktif tiristò a ak karakteristik komitasyon tranzistò a.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 itilize yon estrikti tampon ak yon teknoloji emetè sifas, ki diminye pèt dinamik apeprè 50%.
Anplis de sa, kalite ekipman sa a entegre tou yon dyòd lib ak bon karakteristik dinamik sou yon chip, epi answit reyalize konbinezon òganik gout vòltaj ki ba nan eta aktif, vòltaj blokaj ki wo ak karakteristik komitasyon ki estab nan tiristò a nan yon fason inik.